[1] 刘东静,李浩,周福,张国旗,耿道双,杨道国.基于SIMP的功率器件散热结构拓扑设计方法和系统[P].中国,发明专利申请号：202210496985.6.申请日:2022.05.09
[2] 刘东静, 樊亚松, 张朝朝, 郑贵方, 杨道国, 刘汗青.一种基于差示扫描量热法对LED元器件的稳定性和可靠性的检测方法[P].中国, 发明专利申请号:ZL 201710915217.9,授权公告日:2019-09-20.
[3] 刘东静,林海颖，梁海志，杨道国. 一种基于边界扫描测试的纳米银焊膏封装质量的检测方法[P]. 中国,专利号:ZL 2016 1 1033428.1,授权公告日:2019-01-29.
[4] 刘东静,吴研臣,樊亚松,王浩洁,乔铁良,杨道国.一种功率器件可靠性的评估方法、装置以及存储介质[P]. 中国, 专利号: ZL 2019 1 0415255.7 ,授权公告日:2022-05-31.
[5] 刘东静,樊亚松,乔铁良,王浩洁,吴研臣,杨道国.一种基于网络分析法的LED灯阵列布线方法[P]. 中国, 发明专利申请号:201811496041.9.申请日:2018-12-07
